柯少颖博士是光电学院08级光电专业的学生，2012年本科毕业考上云南大学材料加工工程专业研究生，2015年硕士毕业考上厦门大学微电子与固体电子学博士研究生，2019年博士研究生毕业后，到闽南师范大学工作至今。现在是闽南师范大学物理与信息工程学院的副授，研究领域是半导体材料与光电子器件。在20周年校庆背景下结合自身的发展经历为在校的学弟学妹做讲座、开座谈会此次回到母校也开设了以“本硕博学习与科研经验交流”为主题的讲座，分享了自己分别在本科、硕士、博士三个阶段的经历与心得，教导同学们不应安于现状，要勇于挑战自我，不断向更高处迈进。此外还介绍了由他本人负责的光电子材料与器件集成实验室、微电子工艺实验室的概况与研究成果等。使同学们都受益匪浅，加深了对本专业知识的了解，更加明确了今后的发展。
1.基本信息
姓 名 |
柯少颖 |
性 别 |
男 |
出生年月 |
1989.11 |
民 族 |
汉 |
政治面貌 |
中共党员 |
职 称 |
副教授/硕导 |
籍贯 |
福建漳州 |
学 历 |
博士 |
学 位 |
博士 |
毕业院校 |
厦门大学 |
研究领域 |
半导体材料与光电子器件 |
|
|
2.学习经历（从大学起）
起止年月 |
学校（院）及系名称 |
专 业 |
学 位 |
2015年9月至2019年6月 |
厦门大学物理科学与技术学院物理系 |
微电子学与固体电子学 |
博士 |
2012年9月至2015年6月 |
云南大学工程技术研究院 |
材料加工工程 |
硕士 |
2008年9月至2012年6月 |
福建师范大学闽南科技学院 |
光信息科学与技术 |
学士 |
3.工作经历（毕业以后从事科技或管理工作的经历）
起止年月 |
工作单位及部门 |
职务/职称 |
2019年9月至今 |
闽南师范大学物理与信息工程学院 |
副教授 |
4.承担主要科研任务情况
序号 |
项目名称 |
经费 (万元) |
起止 年月 |
计划 名称 |
担任 角色 |
1 |
全键合长波长InGaAs/Si单光子雪崩探测器基础研究 |
24 |
2021年1月-2023年12月 |
国家自然科学基金青年项目 |
主持 |
2 |
Si基GeSn短波红外全光谱PIN光电探测器基础研究 |
10 |
2020年8月-2023年8月 |
福建省自然科学基金面上项目 |
主持 |
3 |
InGaAs/Si异族键合基础研究 |
5 |
2020年1月-2023年1月 |
漳州市自然科学基金 |
主持 |
4 |
键合制备高质量Ge/Si异质结材料及高性能PIN光电探测器研究 |
59 |
2020年1月-2023年12月 |
国家自然科学基金面上项目 |
参与 |
5.获得专利情况（限5项内）
获得专利名称 |
专利类型 |
专利号 |
批准时间 |
利用非晶锗薄膜实现低温Si‑Si键合的方法 |
发明专利 |
201710118093.1 |
2019.4.12 |
弱键合强度脆性键合样品截面透射电子显微镜制备方法 |
发明专利 |
201810347004.5 |
2020.5.29 |
一种超高质量SOI基键合Ge薄膜的制备方法 |
发明专利 |
201910938320.4 |
2021.8.4 |
一种无界面气泡绝缘层上锗键合方法 |
发明专利 |
201810347003.0 |
2021.6.11 |
6.发表论文、专著的情况（论文限填第一作者或通讯作者，10篇内）
序号 |
论文、专著名称 |
年份 |
排名 |
发表刊物或出版社名称 |
是否被三大检索收录 |
1 |
Dislocation nucleation triggered by thermal stress during Ge/Si wafer bonding process at low annealing temperature |
2021 |
通讯 |
Applied Surface Science |
是（SCI收录） |
2 |
Theoretical Prediction of High-Performance Room-Temperature InGaAs/Si Single-Photon Avalanche Diode Fabricated by Semiconductor Interlayer Bonding |
2021 |
1 |
IEEE Transactions on Electron Devices |
是（SCI收录） |
3 |
A review: wafer bonding of Si-based Semiconductors |
2020 |
1 |
Journal of Physics D-Applied Physics |
是（SCI收录） |
4 |
Double intermediate bonding layers for the fabrication of high-quality silicon-on-insulator-based exfoliated Ge film with excellent high temperature characteristics |
2020 |
1 |
Journal of Physics D-Applied Physics |
是（SCI收录） |
5 |
Polycrystalline Ge intermediate layer for Ge/Si wafer bonding and defect elimination in Si (SOI)-based exfoliated Ge film |
2019 |
1 |
Vacuum |
是（SCI收录） |
6 |
Low-temperature fabrication of wafer-bonded Ge/Si p-i-n photodiodes by layer exfoliation and nanosecond-pulse laser annealing |
2019 |
1 |
IEEE Transactions on Electron Devices |
是（SCI收录） |
7 |
Low-temperature oxide-free silicon and germanium wafer bonding based on a sputtered amorphous Ge |
2018 |
1 |
Applied Physics Letters |
是（SCI收录） |
8 |
Interface State Calculation of the Wafer-Bonded Ge/Si Single-Photon Avalanche Photodiode in Geiger Mode |
2017 |
1 |
IEEE Transactions on Electron Devices |
是（SCI收录） |
9 |
Temperature-dependent interface characteristic of silicon wafer bonding based on an amorphous germanium layer deposited by DC-magnetron sputtering |
2017 |
1 |
Applied Surface Science |
是（SCI收录） |
10 |
Voltage sharing effect and interface state calculation of a wafer-bonding Ge/Si avalanche photodiode with an interfacial GeO2 insulator layer |
2016 |
1 |
Optics Express |
是（SCI收录） |
7.主要事迹
近5年主持国家自然科学基金青年项目1项、福建省自然科学基金面上1项、漳州市自然科学基金1项、闽南师范大学科技项目1项、参与国家自然科学基金2项。2019年以负责人身份组建光电子材料与器件集成实验室，在硅基大失配材料外延、半导体晶片键合及近红外单光子光电探测器研制等方面已取得丰硕的科研成果，以第一作者或通讯作者在国际知名期刊(Applied Physics Letters、Optics Express、IEEE Transactions on Electron Devices、Applied surface science)发表30余篇SCI和EI论文，其中JCR SCI二区及以上论文20余篇，授权发明专利4项，申报国家发明专利8项，指导的本科生毕业论文6次被评为优秀毕业论文，以通讯作者指导本科生发表EI论文4篇，荣获第十四届福建省自然科学优秀学术论文三等奖和闽南师范大学五四青年奖。
